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机译:采用直接中性束氧化工艺的低界面态密度的高品质二氧化锗薄膜
Institute of Fluid Science, Tohoku University, 2-1-1 Katahira, Aoba-ku, Sendai, Miyagi 980-8577, Japan,Micro System Integration Center, Tohoku University, 519-1176 Azaaoba, Aoba-ku, Sendai 980-0845, Japan;
School of Engineering, The University of Tokyo, 2-11-16 Yayoi, Bunkyo-ku, Tokyo 113-8656, Japan;
School of Engineering, The University of Tokyo, 2-11-16 Yayoi, Bunkyo-ku, Tokyo 113-8656, Japan;
Institute of Fluid Science, Tohoku University, 2-1-1 Katahira, Aoba-ku, Sendai, Miyagi 980-8577, Japan,WPI Advanced Institute for Materials Research, Tohoku University, 2-1-1 Katahira, Aoba-ku, Sendai, Miyagi 980-8577, Japan;
机译:采用直接中性束氧化工艺的低界面态密度的高品质二氧化锗薄膜
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