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机译:从子带间吸收线宽数据对接口配置文件进行单值估计
Institute of Physics, Vietnamese Academy of Science and Technology, 10 Dao Tan Street, Hanoi, Vietnam;
Institute of Physics, Vietnamese Academy of Science and Technology, 10 Dao Tan Street, Hanoi, Vietnam;
College of Science, Can Tho University, 3-2 Road, Can Tho City, Vietnam;
Center for Theoretical and Computational Physics, College of Education, Hue University, 34 Le Loi Street,Hue City, Vietnam;
机译:从子带间吸收线宽数据对接口配置文件进行单值估计
机译:基于子带间集成吸收强度数据的接口轮廓的基于单样本的单值估计
机译:根据测得的表面轮廓数据估算粗糙度引起的功率吸收
机译:基于机构吸收线宽的敏感性和运输流动性与GaAs量子阱中的界面粗糙度散射
机译:由于氮化镓/氮化铝超晶格中的子带间跃迁而引起的近红外波长吸收。
机译:CdSe胶体量子阱中的偏振近红外子带间吸收
机译:Gaas量子阱中的子带间吸收线宽由于 界面粗糙度,声子,合金无序和杂质的散射
机译:具有渐变界面组分轮廓的半导体量子阱结构的光致发光线宽系统。 (重新公布新的可用性信息)。