机译:自旋电子学应用中的缺氧磁铁矿中的半金属,磁矩和间隙状态
CEMES-CNRS, Universite de Toulouse, 29 rue Jeanne Marvig, BP 94347, 31055 Toulouse Cedex 4, France;
CEMES-CNRS, Universite de Toulouse, 29 rue Jeanne Marvig, BP 94347, 31055 Toulouse Cedex 4, France;
CEMES-CNRS, Universite de Toulouse, 29 rue Jeanne Marvig, BP 94347, 31055 Toulouse Cedex 4, France;
机译:通过自旋电子学应用中的稀钛掺杂在GaP中生成磁响应和半金属性
机译:根据Bife0.83Ni0.17O3中的氧空位位置的位置,飞溅物行为(半金属性,旋转无旋转半导体和双极磁半导体)发生的发生
机译:钾和钙δ掺杂的GaN数字磁性异质结构中的自旋间隙和半金属铁磁性,可能用于自旋电子学:第一性原理的见解
机译:用磁铁矿制备缺氧铁素体Fe3O4-δ并将SO2还原为S0
机译:用于自旋电子学的新型宽带隙室温铁磁半导体的生长。
机译:自旋电子学行为的发生(半金属性自旋无间隙半导体和双极磁性半导体)取决于BiFe0.83Ni0.17O3中氧空位的位置
机译:用于磷缺氧磁铁矿的半金属,磁矩和间隙状态用于旋转式应用
机译:sIsGR-musR用于自旋电子学应用的磁性半导体研究,2009年9月15日至2013年9月14日