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机译:真空紫外辐射对低k有机硅酸盐电介质介电常数的影响
Plasma Processing & Technology Laboratory and Department of Electrical and Computer Engineering, University of Wisconsin-Madison, Madison, Wisconsin 53706, USA;
GLOBALFOUNDRIES, Albany, New York 12203, USA;
Stanford University, Stanford, California 94305, USA;
Plasma Processing & Technology Laboratory and Department of Electrical and Computer Engineering, University of Wisconsin-Madison, Madison, Wisconsin 53706, USA;
机译:真空紫外辐射对低k有机硅酸盐电介质介电常数的影响
机译:介电体-衬底界面对低k多孔有机硅酸盐介电体的真空紫外线照射产生的电荷积累的影响
机译:真空紫外线辐射对低k有机硅酸盐电介质的俘获电荷和漏电流的影响
机译:真空紫外辐射对低k多孔有机硅玻璃的损害
机译:真空紫外辐射对低k有机硅介电材料的破坏和铜迁移。
机译:用于微和纳米电子应用的低k介电薄膜的热稳定性的宽带介电光谱表征
机译:CH4等离子体处理对O2等离子体灰化有机硅低k电介质的影响
机译:利用γ辐照开发高介电常数,低介电损耗聚合物。