机译:W / Hf / CoFeB / MgO层结构中的Hf间隔层增强垂直磁各向异性和自旋霍尔效应感应自旋电流的传输
Cornell University, Ithaca, New York 14853, USA;
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Department of Physics, Wellesley College, Massachusetts 02481, USA;
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Cornell University, Ithaca, New York 14853, USA,Kavli Institute at Cornell, Ithaca, New York 14853, USA;
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机译:CoFeB / MgO系统中增强的垂直磁各向异性大,典型的Ta缓冲层被Hf层替代
机译:氧化物层对Hf | CoFeB | MgO和Hf | CoFeB | TaO_x结构中电流感应的自旋轨道转矩的影响
机译:垂直磁化的Hf | CoFeB | MgO和Hf | CoFeB | TaO_x结构的电流感应自旋轨道转矩切换
机译:垂直磁各向异性对CoFeB / MgO / CoFeB磁隧道结旋转转移开关电流的影响
机译:具有垂直磁各向异性的Co基薄膜和多层膜的结构和性能。
机译:在垂直MgO / CoFeB / W / CoFeB / MgO记录框中增强超薄W空间层的热稳定性
机译:增强垂直磁各向异性和传输 W / Hf / CoFeB / mgO中Hf隔离层的自旋霍尔效应诱导自旋电流 层