机译:霍尔和塞贝克测量可估算(埋藏的)载流子系统的厚度:识别In掺杂SnO_2膜中的界面电子
Paul-Drude-Institut fuer Festkoerperelektronik, Hausvogteiplatz 5-7, D-10117 Berlin, Germany;
Materials Department, University of California, Santa Barbara, California 93106, USA;
Materials Department, University of California, Santa Barbara, California 93106, USA;
Leibniz-Institut fuer Kristallzuechtung, Max-Born-Strasse 2, D-12489 Berlin, Germany;
Paul-Drude-Institut fuer Festkoerperelektronik, Hausvogteiplatz 5-7, D-10117 Berlin, Germany;
机译:黄铁矿薄膜中的多数载流子:基于塞贝克和霍尔系数测量的分析
机译:厚度和界面对旋转塞贝克效应的低温增强的影响,旋塞贝克效应的基本性质,低温增强旋膜膜的旋膜效果,旋塞的基本特性
机译:通过原位塞贝克和霍尔测量来增强离子门控FESE膜中的电子相关性
机译:从微晶厚度测量中鉴定的毒品和成岩硫酸盐 - 一种古温估计的工具
机译:正电子an没螺旋钻电子光谱在砷化镓上生长的界面缺陷和超薄铝膜的稳定性测量中的应用(100)
机译:使用Scheimpflug系统测量兔子的中央角膜厚度和角膜前泪膜厚度
机译:厚度和界面对YIG薄膜中自旋塞贝克效应低温增强的影响
机译:通过霍尔测量确定自由载流子密度的表面和界面耗尽校正。