机译:具有两个Si p-n结的InGaN串联光电电极,可将CO_2转化为HCOOH,其效率高于生物光合作用
Advanced Research Division, Panasonic Corporation, Seika, Kyoto 619-0237, Japan;
Panasonic Semiconductor Solutions Co., Ltd., Hioki, Kagoshima, Japan;
Department of Applied Physics, Tokyo University of Science, Katsushika, Tokyo 125-8585, Japan;
Advanced Research Division, Panasonic Corporation, Seika, Kyoto 619-0237, Japan;
Advanced Research Division, Panasonic Corporation, Seika, Kyoto 619-0237, Japan;
Advanced Research Division, Panasonic Corporation, Seika, Kyoto 619-0237, Japan;
Department of Applied Physics, Tokyo University of Science, Katsushika, Tokyo 125-8585, Japan;
机译:可视化具有p-n结的InGaN / GaN多量子阱中的光电转换过程
机译:使用铁电钝化层提高n型晶体硅p-n结的光电转换效率
机译:单片集成InGaN / GaN / Si自适应隧道结光电阴极上的高效太阳能转化为氢
机译:Ingan / Si双结串联太阳能电池效率方面的界面层适应性探讨
机译:半导体陶瓷纳米纤维的合成,p-n结的发展以及通过电纺的带隙工程。
机译:轴向连接的纳米线核-壳p-n结:用于高效太阳能电池的复合结构
机译:太阳能驱动下,通过将TiO_2保护的III–V串联光电阳极与双极膜和Pd / C阴极结合使用,以1%的能量转换效率将1 atm的CO_2还原为甲酸酯