机译:评论“高温下硅上外延碳化硅界面的灾难性降解” [Appl。物理来吧109,011604(2016)]
Queensland Micro- and Nanotechnology Centre and Griffith School of Engineering, Griffith University, Nathan, QLD 4111, Australia;
机译:对“高温下硅上外延碳化硅界面的灾难性降解”的评论[Appl。物理来吧109,196101(2016)]
机译:高温下硅上外延碳化硅界面的灾难性降解
机译:对“低温下基于n-ZnO / p-硅纳米线异质结的深紫外和近红外光电二极管的评论”的响应[Appl。物理来吧94,166102(2009)]
机译:通过激光烧蚀碳靶向硅的外延取向碳化硅的生长及碳化硅界面的结构
机译:研究4H-碳化硅-碳化硅上低温原子沉积的氧化物及其对碳化硅/二氧化硅界面的影响。
机译:勘误表:硅纳米线生化场效应晶体管中1 ∕ f噪声机制的温度依赖性。物理来吧97243501(2010)
机译:回应“高温下硅外延碳化硅界面灾难性地降解”应用。物理。吧。 109,196101(2016)