机译:等离子低温蚀刻多孔材料的机理
Research Group PLASMANT, University of Antwerp, Universiteitsplein 1, Antwerp-Wilrijk, Belgium;
Research Group PLASMANT, University of Antwerp, Universiteitsplein 1, Antwerp-Wilrijk, Belgium;
IMEC, Leuven, Belgium;
IMEC, Leuven, Belgium;
Research Group PLASMANT, University of Antwerp, Universiteitsplein 1, Antwerp-Wilrijk, Belgium;
机译:使用SF6 / C4F8等离子的低温蚀刻工艺应用于多孔低k材料
机译:使用SF_6 / O_2 / SiF_4的多孔有机硅低k材料的低损伤低温蚀刻
机译:由于等离子体刻蚀过程中的辐射,自由基和离子,导致低k多孔SiOCH薄膜的等离子体损坏机理
机译:多孔SiOCH材料的等离子体刻蚀研究
机译:用于在硅上构图高介电常数材料的等离子体蚀刻化学和反应机理。
机译:在−50°C以上的条件下使用微毛细管冷凝对多孔有机硅低k进行无损等离子体刻蚀
机译:多孔材料等离子体低温蚀刻机制
机译:等离子体和离子蚀刻用于失效分析。第2部分。使用Technics Giga Etch 100-E等离子蚀刻系统对塑料封装和其他半导体器件材料进行蚀刻