机译:低掺杂n-InGaAs与InP匹配的重空穴和轻空穴少数载流子输运性质
National Research Council of Canada, 1200 Montreal Road, M-50, Ottawa, ON, Canada;
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机译:晶格匹配的InAlGaN电子阻挡层对可见光发光二极管InGaN / GaN多量子阱中空穴传输和分布的影响
机译:In_(0.18)Al_(0.82)N晶格匹配GaN的低场和高场载流子传输特性的数值研究
机译:GaAs / InAlAs超晶格中重孔-光孔共振引起的轻孔Stark梯形光致发光
机译:焦平面阵列应用中低掺杂n-InGaAs中的少数载流子扩散长度和迁移率
机译:使用实时基线校正方法研究InAs / InAsSb II型超晶格中少数载流子的寿命和运输。
机译:证明与InP匹配的AlAs0.56Sb0.44晶格中的大电离系数比
机译:低掺杂n-InGaAs与InP匹配的重空穴和轻空穴少数载流子输运性质
机译:辐射复合和光子回收对外延GaINassb晶格与Gasb匹配的少数载流子寿命的影响