机译:通过顺序环境退火提高掺钨的InZnO薄膜晶体管的性能
Dongguk Univ, Div Phys & Semicond Sci, Seoul 04620, South Korea;
Dongguk Univ, Div Phys & Semicond Sci, Seoul 04620, South Korea;
Dongguk Univ, Div Phys & Semicond Sci, Seoul 04620, South Korea;
Kyung Hee Univ, Sch Engn, Dept Mech Engn, Yongin 17104, South Korea;
Pohang Univ Sci & Technol, Pohang Accelerator Lab, Pohang 37673, South Korea;
Korea Atom Energy Res Inst, Neutron Utilizat Res Div, Daejeon 34057, South Korea;
Sungkyunkwan Univ, Sch Adv Mat Sci & Engn, Suwon 16419, Kyunggi Do, South Korea;
Dongguk Univ, Div Phys & Semicond Sci, Seoul 04620, South Korea;
机译:钨掺杂的InZnO薄膜晶体管相对于掺杂浓度的器件性能和不稳定性的提高
机译:新型硼掺杂InZnO薄膜的固溶工艺及其在提高热稳定性方面的应用
机译:基于射频磁控溅射制备的非晶Al-N共掺杂InZnO薄膜的高性能薄膜晶体管
机译:Zr掺杂对固溶处理的InZnO薄膜晶体管性能的影响
机译:应用于薄膜晶体管的硅薄膜的脉冲激光退火。
机译:用同质结结构的钨铟锌氧化物薄膜晶体管增强器件性能和稳定性
机译:钨掺杂氧化铟氧化铟氧化物薄膜晶体管在室温超临界流体系统中的氢气过氧化氢的性能提高