机译:MOCVD生长的In_xGa_(1-x)Sb /InAsⅡ型量子阱红外光电探测器的室温工作
Northwestern Univ, Dept Elect Engn & Comp Sci, Ctr Quantum Devices, Evanston, IL 60208 USA;
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机译:高性能Zn-扩散平面中波长红外型-Ⅱinas / Inas_(1-x)Sb_x Supertrice Photodetice PhotoDetector by MoCVD
机译:基于有机金属化学气相沉积生长的Ⅱ型InAs / InAs_(1-x)xSb_x超晶格的中波长红外nBn光电探测器的演示
机译:基于Ⅱ型InAs / InAs_(1-x)Sb_x / AlAs_(1-x)Sb_x超晶格的高性能短波红外光电探测器
机译:用于高温操作的量子工程中红外Ⅱ型InAs / GaSb超晶格光电探测器
机译:InAs / GaSb和基于InAs / InAsSb II型超晶格的红外器件的暗电流抑制,光学性能改进和高频操作
机译:基于InAs / InAs1-xSbx / AlAs1-xSbx II型超晶格的偏置可选nBn双波段长/非常长波长红外光电探测器
机译:具有Al0.9Ga0.2As0.1Sb0.9势垒层的基于中红外InAs0.79Sb0.21的nBn光电探测器,以及与InAs0.87Sb0.13 p-i-n二极管的比较,两者均使用界面失配阵列在GaAs上生长