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机译:基于腐蚀机构设计装置结构来控制离子 - 液体导电桥存储器的数据保持特性
Tokyo Univ Sci Dept Appl Phys Tokyo 1258585 Japan|Natl Inst Adv Ind Sci & Technol Device Technol Res Inst Tsukuba Ibaraki 3058565 Japan;
Natl Inst Adv Ind Sci & Technol Device Technol Res Inst Tsukuba Ibaraki 3058565 Japan;
Natl Inst Adv Ind Sci & Technol Device Technol Res Inst Tsukuba Ibaraki 3058565 Japan;
Natl Inst Adv Ind Sci & Technol Device Technol Res Inst Tsukuba Ibaraki 3058565 Japan;
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Tottori Univ Ctr Res Green Sustainable Chem Tottori 6808552 Japan;
Tottori Univ Ctr Res Green Sustainable Chem Tottori 6808552 Japan;
Tokyo Univ Sci Dept Appl Phys Tokyo 1258585 Japan;
Tokyo Univ Sci Dept Appl Phys Tokyo 1258585 Japan;
Conductive Bridge RAM; Electrode potential; Data retention characteristics; Ionic liquids; galvanic corrosion; Potentiodynamic polarization experiments;
机译:基于CuInS
机译:基于CuInS_2量子点-聚甲基丙烯酸甲酯纳米复合材料的非易失性存储器件的多级特性和存储机制
机译:不同电极材料的HFO2电阻随机存取存储器件的电阻切换机构和整流特性研究
机译:使用初始计算阐明导电桥随机存取存储器(CB-RAM)的金属扩散机制
机译:研究有机存储器的设备结构和机制。
机译:使用ZnO薄膜的电阻式开关存储器件的可靠性特性和导电机理
机译:基于Cuins2量子点 - 聚甲基丙烯酸酯纳米复合材料的非易失性存储器件的多级特性和内存机制