机译:基于GaAs的谷类声子晶体的超高频多声带隙设计
Univ Tokyo, Inst Ind Sci, Meguro Ku, Tokyo 1538505, Japan;
Inst Nano Quantum Informat Elect, Meguro Ku, Tokyo 1538505, Japan;
Univ Tokyo, Inst Ind Sci, Meguro Ku, Tokyo 1538505, Japan|Inst Nano Quantum Informat Elect, Meguro Ku, Tokyo 1538505, Japan;
机译:二维硅声子晶体板中的完整声子带隙和带隙图
机译:具有纺锤形夹杂物的二维声子晶体中的完整低频带隙
机译:带十字形孔的二维声子晶体平板的多个完整带隙
机译:具有完整声子带隙的基于GaAs的纳米声子晶体中的多带谷保护拓扑边缘态
机译:二维弹性声子晶体的相空间特性和纳米声子晶体中的非谐效应。
机译:宽声带隙固体盘形声子晶体锚固边界用于提高AlN-on-Si MEMS谐振器的品质因数
机译:基于GAAS的Valley Phononic晶体设计,具有超高频率的多个完整声子隙