...
机译:生长在具有空洞嵌入皮质类似纳米结构的纳米级图案蓝宝石衬底上的基于GaN的发光二极管
,Instrument Technology Research Center (ITRC), National Applied Research Laboratories, Hsinchu 300, Taiwan, R.O.C.,Department of Power Mechanical Engineering, National Tsing Hua University, Hsinchu 30013, Taiwan, R.O.C.;
机译:高性能基于GaN的发光二极管的蓝宝石衬底处理:蓝宝石衬底的微图案化及其对基于GaN的发光二极管中光增强的影响
机译:嵌入式SiO_2纳米棒阵列和纳米级图案化蓝宝石衬底上的高提取效率GaN基发光二极管
机译:在激光钻孔图案化的蓝宝石衬底上生长的气隙嵌入式GaN基发光二极管
机译:具有皮质类纳米结构的纳米级图案化蓝宝石衬底,用于基于GaN的LED
机译:通过金属有机气相外延在蓝宝石和块状氮化铝衬底上生长的掺硅氮化铝镓和紫外发光二极管的复合动力学
机译:蓝宝石衬底上具有反应性等离子体沉积AlN成核层的GaN基紫外发光二极管的效率提高
机译:蓝宝石和硅基板上生长的GaN的发光二极管效率下垂和有效活性量