机译:介电接口的FDTD建模中的平均或非平均
Electrical & Computer Engineering Dept, University of Utah, 50 S Central Campus Dr Rm 3280, Salt Lake City, UT 84112;
机译:FDTD的收敛性和弯曲介电界面的小波配置模型的有效介电常数技术
机译:通过平均沿表面法线的介电常数在倾斜介电界面上FDTD方法的二阶条件
机译:平面介电界面ID-FDTD方案的数值反射系数
机译:FDTD的收敛性和弯曲介电界面的小波配置模型以及通过静场分析获得的有效介电常数
机译:将FDTD吸收边界条件方法扩展到有损耗电介质,以进行微波设备建模。
机译:介电常数对贵金属/半导体SERS增强的影响:Ag / Ge和Ag / Si衬底的FDTD模拟和实验验证
机译:关于介质界面的LOD-FDTD方法的行为
机译:FDTD法对介质混合规律的数值试验