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机译:通过在GaAs中嵌入自组装ErAs纳米结构,将Ⅲ–Ⅴ类半导体的可调谐等离子体波长从中红外扩展到短波红外
Univ Delaware Dept Mat Sci & Engn Newark DE 19716 USA;
III-V semiconductor composites; mid-infrared; plasmonic materials; rare-earth monopnictides;
机译:通过子带间InGaAs / AlAs量子阱中二极管激光波长的差频混合可调谐中红外生成
机译:高双折射光子晶体光纤中可产生宽波长可调的双色孤子和小光谱分量,可产生宽带中红外波长
机译:使用InGaAsSb夹层的中红外InAsSb / InP纳米结构的发射波长扩展
机译:光子晶体光纤中的波长可调红移切伦科夫辐射,用于产生中红外波长
机译:适用于中红外和远红外波长范围的高温量子点红外光电探测器。
机译:峰值波长控制的InGaAs / AlGaAs量子阱的分子束外延生长用于4.3μm中波长红外检测
机译:I型InAsN和InGaAsN在InP上生长的稀氮化物量子阱的扩展波长中红外光致发光
机译:用于光谱传感的紧凑型宽带波长 - 敏捷中红外半导体激光器