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【24h】

Near Room-Temperature Memory Devices Based on Hybrid Spin-Crossover@SiO2 Nanoparticles Coupled to Single-Layer Graphene Nanoelectrodes

机译:基于混合自旋交叉@ SiO2纳米粒子与单层石墨烯纳米电极耦合的近室温存储设备。

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摘要

The charge transport properties of SCO [Fe(Htrz)(2)(trz)](BF4) NPs covered with a silica shell placed in between single-layer graphene electrodes are reported. A reproducible thermal hysteresis loop in the conductance above room-temperature is evidenced. This bistability combined with the versatility of graphene represents a promising scenario for a variety of technological applications but also for future sophisticated fundamental studies.
机译:报道了SCO [Fe(Htrz)(2)(trz)](BF4)NPs的电荷传输性质,该NPs被放置在单层石墨烯电极之间的硅壳覆盖。在室温以上的电导中,可再现的热滞回线被证明。这种双稳态性与石墨烯的多功能性相结合,为各种技术应用以及未来的复杂基础研究提供了一个有希望的方案。

著录项

  • 来源
    《Advanced Materials》 |2016年第33期|7228-7233|共6页
  • 作者单位

    Delft Univ Technol, Kavli Inst Nanosci, Lorentzweg 1, NL-2628 CJ Delft, Netherlands;

    Delft Univ Technol, Kavli Inst Nanosci, Lorentzweg 1, NL-2628 CJ Delft, Netherlands;

    Univ Valencia, Inst Ciencia Mol, Catedrat Jose Beltran 2, Paterna 46980, Spain;

    Univ Valencia, Inst Ciencia Mol, Catedrat Jose Beltran 2, Paterna 46980, Spain;

    Univ Valencia, Inst Ciencia Mol, Catedrat Jose Beltran 2, Paterna 46980, Spain;

    Delft Univ Technol, Kavli Inst Nanosci, Lorentzweg 1, NL-2628 CJ Delft, Netherlands;

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  • 正文语种 eng
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