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机译:使用半导体纳米材料和超薄电介质的晶体管的容限和纳米力学
Departments of Materials Science and Engineering Beckman Institute and Frederick Seitz Materials Research Laboratory University of Illinois at Urbana-Champaign Urbana, IL 61801 (USA);
机译:具有超薄氮氧化物栅极电介质的高迁移率场效应晶体管的Ge基金属氧化物半导体界面的设计和控制
机译:低压反转应力下p型金属氧化物半导体场效应晶体管中超薄SiON栅极电介质的V_(ox)/ E_(ox)驱动击穿
机译:Si取向和温度对具有超薄HfO_2栅极电介质的金属氧化物半导体场效应晶体管中载流子迁移率的作用
机译:电子旋转共振叠层超薄高k金属氧化物堆中的探测点缺陷:Si / Hfo_2对GE / HFO_2系统
机译:新型有机半导体和用于有机薄膜晶体管的高电容栅极电介质。
机译:具有本质上可光图案化的超薄聚合物介电层的高性能p型有机薄膜晶体管
机译:通过金属氧化物半导体场效应晶体管的超薄栅极电介质进行电子传输的量子力学和原子能级从头计算
机译:用于高性能纳米晶体管的绝缘层上的超薄复合半导体。