机译:激活MoS2的基础平面和S端接的边缘以实现更高效的氢气释放
Natl Univ Singapore, Fac Engn, Dept Mat Sci & Engn, 9 Engn Dr 1, Singapore 117576, Singapore;
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Natl Univ Singapore, Fac Engn, Dept Mat Sci & Engn, 9 Engn Dr 1, Singapore 117576, Singapore;
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Agcy Sci Technol & Res, Inst High Performance Comp, Singapore 138632, Singapore;
Natl Univ Singapore, Fac Engn, Dept Mat Sci & Engn, 9 Engn Dr 1, Singapore 117576, Singapore;
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机译:MoS2纳米片的边缘和基面中的双功能N掺杂剂可实现高效持久的氢气释放
机译:原子层沉积包覆的MoS2基平面的原位电化学活化,用于有效的产氢反应
机译:通过调节(001)平面活化MoS2 / CNs作为氢释放反应的有效电催化剂
机译:通过微波辅助合成在石墨烯上生长的免费MOS2纳米片作为高效催化剂的氢进化
机译:摩擦诱导的散装纳米结构MOS2用于氢化反应的结构转变
机译:辉钼矿(MoS2)天然晶体上氢放出反应的电化学图和影片:基础与边缘平面活性
机译:增加富孔3D边缘富孔MOS2薄膜的基底平面位点的电化学活性,用于氢化反应