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机译:基于2D van-Der-Wa的激光辅助多级非易失性存储器件几层 - RES_2 / H-BN / vaphene异质结构
Natl Inst Mat Sci NIMS Int Ctr Mat Nanoarchitecton MANA 1-1 Namiki Tsukuba Ibaraki 3050044 Japan;
Natl Inst Mat Sci NIMS Int Ctr Mat Nanoarchitecton MANA 1-1 Namiki Tsukuba Ibaraki 3050044 Japan|Kyushu Univ Fac Engn Dept Chem & Biochem 1-1 Namiki Tsukuba Ibaraki 3050044 Japan;
Natl Inst Mat Sci NIMS Res Ctr Funct Mat 1-1 Namiki Tsukuba Ibaraki 3050044 Japan;
Natl Inst Mat Sci NIMS Res Ctr Funct Mat 1-1 Namiki Tsukuba Ibaraki 3050044 Japan;
Natl Inst Mat Sci NIMS Int Ctr Mat Nanoarchitecton MANA 1-1 Namiki Tsukuba Ibaraki 3050044 Japan|Kyushu Univ Fac Engn Dept Chem & Biochem 1-1 Namiki Tsukuba Ibaraki 3050044 Japan;
Natl Inst Mat Sci NIMS Int Ctr Mat Nanoarchitecton MANA 1-1 Namiki Tsukuba Ibaraki 3050044 Japan;
graphene; heterostructures; memory; multibit; photoelectric memory; ReS2; two-dimensional materials;
机译:电气可靠性,多级数据存储和基于MOS2-PMMA纳米复合材料的非易失性存储器件的机械稳定性
机译:基于多种独立开关模式的有机多级非易失性存储设备
机译:CoPt / PMN-PT异质结构中电场介导的非易失性调谐磁性,用于磁电存储设备
机译:基于2D h-BN的电子突触中易失性和非易失性电阻切换的共存
机译:基于氮化物的局部电荷陷阱非易失性存储器件的阈值电压不稳定性。
机译:基于PEDOT:PSS薄膜的电可擦写非易失性存储设备
机译:基于2D van-Der-Wa的激光辅助多级非易失性存储器件几层 - RES 2 / H-BN /石墨烯异质结构
机译:基于磁性半导体纳米结构的新型非易失性存储器件用于太比特集成