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机译:N注入的Tl_2Ga_2S_3Se单晶的热激发电流俘获中心参数
Department of Physics, Nevsehir University, 50300 Nevsehir, Turkey;
Department of Physics, Middle East Technical University, 06800 Ankara, Turkey;
Department of Physics, Middle East Technical University, 06800 Ankara, Turkey;
impurity and defect levels; charge carriers: generation, recombination, lifetime, and trapping; other crystalline inorganic semiconductors;
机译:通过热激电流测量确定Tl2In2S3Se层状单晶中的俘获中心参数
机译:通过热激电流测量在TllnSSe层状单晶中捕获中心参数
机译:通过热激电流测量在TllnSSe层状单晶中捕获中心参数
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