首页> 外文期刊>Acta Physica Polonica. A >Influence of light on dissolution processes in chalcogenide glassy semiconductors
【24h】

Influence of light on dissolution processes in chalcogenide glassy semiconductors

机译:光对硫族化物玻璃态半导体中溶解过程的影响

获取原文
       

摘要

In this work characteristics of dissolution processes in chalcogenide glassy semiconductors(illuminated and non-illuminated) were studied. The main purpose of this work was studying different compounds of the chalcogenide glassy semiconductors of the As-Se and As-S systems and their reciprocation with some selective solvents. The author of this document and his instruc- tor consider as the most significant result of this work the discovery of an effective positive solvent(γ≈100) in As_45S-55 films.
机译:在这项工作中,研究了硫属化物玻璃态半导体(发光和非发光)中溶解过程的特性。这项工作的主要目的是研究As-Se和As-S系统的硫族化物玻璃态半导体的不同化合物及其与某些选择性溶剂的往复作用。本文的作者和他的指导者认为在As_45S-55薄膜中发现有效的正溶剂(γ≈100)是这项工作的最重要结果。

著录项

  • 来源
    《Acta Physica Polonica. A》 |1998年第1998期|p.-29--40|共页
  • 作者

    D.Boyarskiy;

  • 作者单位
  • 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类 物理学;
  • 关键词

  • 入库时间 2022-08-18 00:30:37

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号