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Chemical Vapor Deposition: Tunable Doping of Rhenium and Vanadium into Transition Metal Dichalcogenides for Two‐Dimensional Electronics (Adv. Sci. 11/2021)

机译:化学气相沉积:将铼和钒的可调谐掺杂到二维电子的过渡金属二均甲基甲基化物中(ADV。SCI。11/2021)

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摘要

A new strategy using mixed salts for chemical vapor deposition of tunable Re‐ and V‐doped 2D transition metal dichalcogenides (TMDCs) is realized by Shisheng Li, Takaaki Taniguchi, and co‐workers, as described in article number 2004438. By applying the highly conductive V‐doped WSe2 as van der Waals contacts for 2D WSe2 based field‐effect transistor, the on‐state current and on/off ratio are substantially improved, compared to the metal contacts.
机译:通过Shisheng Li,Takaaki Taniguchi和同事实现了使用混合盐的新策略进行可调谐和V掺杂的2D过渡金属二甲基(TMDC)的化学气相沉积,如2004438年的第200438件所述。通过应用高度与金属触头相比,导电V掺杂WSE2作为基于2D WSE2的场效应晶体管的VAN DER WALS触点,导通电流和开/关比基本上改善。

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