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机译:石墨烯的电子厚度
Peter Rickhaus; Ming-Hao Liu; Marcin Kurpas; Annika Kurzmann; Yongjin Lee; Hiske Overweg; Marius Eich; Riccardo Pisoni; Takashi Taniguchi; Kenji Watanabe; Klaus Richter; Klaus Ensslin; Thomas Ihn;
机译:石墨烯电子产品中厚度无关的能量耗散
机译:石墨烯的BC6N单层:可调谐电子和磁性通过厚度,门控,拓扑缺陷和Adatom /分子
机译:大区域外延石墨烯:应变和厚度对电子性质的影响
机译:石墨烯化学掺杂对无定形二氧化硅的化学掺杂,石墨烯 - 氟超晶格的电子性质及石墨烯与原子氟相互作用的研究
机译:化学气相沉积法生长的氮磷掺杂石墨烯的电子结构
机译:3C-SiC(111)Si和C面上外延石墨烯的厚度和电子性能的大面积微焦点椭圆偏光光谱图
机译:晶体管具有石墨烯的至少一种弯曲变形,以控制电,石墨烯单电子晶体管和电子隧穿石墨烯晶体管的开/关
机译:石墨烯电子器件以及制造石墨烯转移层和石墨烯电子器件的方法
机译:还原氧化石墨烯及其制备的基于氧化石墨烯的纳米复合材料的厚度增长方法
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