首页> 美国卫生研究院文献>other >p − n semiconductor membrane for electrically tunable ion current rectification and filtering
【2h】

p − n semiconductor membrane for electrically tunable ion current rectification and filtering

机译:用于电可调离子电流整流和滤波的p-n半导体膜

代理获取
本网站仅为用户提供外文OA文献查询和代理获取服务,本网站没有原文。下单后我们将采用程序或人工为您竭诚获取高质量的原文,但由于OA文献来源多样且变更频繁,仍可能出现获取不到、文献不完整或与标题不符等情况,如果获取不到我们将提供退款服务。请知悉。

摘要

We show that a semiconductor membrane made of two thin layers of opposite (n- and p-) doping can perform electrically tunable ion current rectification and filtering in a nanopore. Our model is based on the solution of the 3D Poisson equation for the electrostatic potential in a double-cone nanopore, combined with a transport model. It predicts that for appropriate biasing of the membrane-electrolyte system, transitions from ohmic behavior to sharp rectification with vanishing leakage current are achievable. Further more, ion current rectifying and filtering regimes of the nanopore correspond to different charge states in the p − n membrane which can be tuned with appropriate biasing of the n- and p- layers.
机译:我们表明,由两个相反的(n-和p-)掺杂薄层制成的半导体膜可以在纳米孔中进行电可调的离子电流整流和过滤。我们的模型是基于3D Poisson方程的双锥纳米孔中静电势的解以及输运模型。它预测,对于适当的膜电解质系统偏压,可以实现从欧姆行为到消失电流消失的急剧整流。此外,纳米孔的离子电流整流和过滤方式对应于p-n膜中的不同电荷状态,可以通过对n-和p-层施加适当的偏压进行调整。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
代理获取

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号