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Quasi-hydrostatic equation of state of silicon up to 1 megabar at ambient temperature

机译:环境温度下硅的准静力学状态方程高达1兆巴

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摘要

The isothermal equation of state of silicon has been determined by synchrotron x-ray diffraction experiments up to 105.2 GPa at room temperature using diamond anvil cells. A He-pressure medium was used to minimize the effect of uniaxial stress on the sample volume and ruby, gold and tungsten pressure gauges were used. Seven different phases of silicon have been observed along the experimental conditions covered in the present study.
机译:硅的等温状态方程已通过使用金刚石砧盒在室温下高达105.2 GPa的同步加速器X射线衍射实验确定。使用He压力介质将单轴应力对样品体积的影响降到最低,并使用红宝石,金和钨压力表。在本研究涵盖的实验条件下,已观察到七个不同的硅相。

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