Porous silicon Metal nanoparticles Etching of semiconductor Displacement deposition Electroless plating Electrochemical catalysts Overpotential Galvanic etching Oxygen reduction Anodic dissolution of silicon 81.05.Rm; 82.45.Vp; 81.65.Cf;
机译:金属辅助化学蚀刻法直接合成铂和多孔硅复合材料及其增强的催化活性
机译:贵金属催化剂种类对金属辅助化学刻蚀形成的大孔硅形态的影响
机译:贵金属催化剂种类对金属辅助化学刻蚀形成的大孔硅形态的影响
机译:使用不同的贵金属通过金属辅助蚀刻对硅进行织构化
机译:作为3D纳米制造平台的硅金属辅助化学蚀刻的开发。
机译:晶体学确定的蚀刻及其与硅粉金属辅助催化蚀刻(MACE)的关系
机译:贵金属对硅的金属辅助化学刻蚀的催化活性