Porous semiconductors Porosity Lead telluride Electrical conductivity 81.05.Rm 71.20.Nr 72.60. + g;
机译:阳极电化学刻蚀法形成多孔纳米碲化铅薄膜
机译:P型铋锑碲化型温度依赖性导热率的各向异性行为(P-BI0.5SB1.5TE3)薄膜
机译:碲化银薄膜在低温下的异常磁阻效应
机译:铅碲化肽中的正极和负光电导性掺杂镓外延薄膜
机译:铟锡氧化物(ITO)/玻璃基板上碲化镉,碲化铅和碲化镉/碲化铅超晶格薄膜的制备与表征
机译:银含量取决于电沉积碲化锑薄膜的热导率和热电性能
机译:多孔碲化铅薄膜中的异常电导行为
机译:铅硫化物薄膜的光电导行为。第2卷。附录四。化学沉积铅硫化物层的光电导率。