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【2h】

Nanoscale Inhomogeneities Mapping in Ga-Modified Arsenic Selenide Glasses

机译:Ga修饰的硒化砷玻璃的纳米级不均匀性映射

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摘要

Nanoscale inhomogeneities mapping in Ga-modified As2Se3 glass was utilized exploring possibilities of nanoindentation technique using a Berkovitch-type diamond tip. Structural inhomogeneities were detected in Gax(As0.40Se0.60)100−x alloys with more than 3 at.% of Ga. The appeared Ga2Se3 nanocrystallites were visualized in Ga-modified arsenic selenide glasses using scanning and transmission electron microscopy. The Ga additions are shown to increase nanohardness and Young’s modulus, this effect attaining an obvious bifurcation trend in crystallization-decomposed Ga5(As0.40Se0.60)95 alloy.
机译:利用Ga修饰的As2Se3玻璃中的纳米级不均匀性作图,探索了使用Berkovitch型金刚石尖端进行纳米压痕技术的可能性。在Ga大于3at。%的Gax(As0.40Se0.60)100-x合金中检测到结构不均匀性。使用扫描和透射电子显微镜在Ga修饰的硒化砷玻璃中可视化出现的Ga2Se3纳米晶体。镓的添加显示出增加的纳米硬度和杨氏模量,这种作用在结晶分解的Ga5(As0.40Se0.60)95合金中具有明显的分叉趋势。

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