机译:SI上的短波红外光电探测器采用应变诱导的非常高的INAS纳米线阵列生长
机译:使用INAS NANOWIRE PHOTRABSORGER在INP上使用INAS与P-N异质功能进行加工的光电探测器
机译:具有Al0.9Ga0.2As0.1Sb0.9势垒层的基于中红外InAs0.79Sb0.21的nBn光电探测器,以及与InAs0.87Sb0.13 p-i-n二极管的比较,二者均使用界面失配阵列在GaAs上生长
机译:在两层10周期InGaAs和盖有GaAs的InAs量子点红外光电探测器焦平面阵列上生长的6.5 nm厚的Al2O3表面钝化层
机译:II型InAs / GaSb超晶格红外光电探测器优化和门控光电探测器阵列实现。
机译:用于光伏红外光电探测器的柔性石墨上自催化InAs纳米线的优化
机译:利用应变诱导的非常高的InAs纳米线阵列的生长,在Si上使用短波长红外光电探测器
机译:单晶Inas纳米线阵列的生长与表征及其在等离子体中的应用。