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Switchable graphene-substrate coupling through formation/dissolution of an intercalated Ni-carbide layer

机译:通过插入/碳化镍层的形成/溶解来切换石墨烯-基板的耦合

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摘要

Control over the film-substrate interaction is key to the exploitation of graphene’s unique electronic properties. Typically, a buffer layer is irreversibly intercalated “from above” to ensure decoupling. For graphene/Ni(111) we instead tune the film interaction “from below”. By temperature controlling the formation/dissolution of a carbide layer under rotated graphene domains, we reversibly switch graphene’s electronic structure from semi-metallic to metallic. Our results are relevant for the design of controllable graphene/metal interfaces in functional devices.
机译:控制薄膜与基材之间的相互作用是开发石墨烯独特电子特性的关键。通常,“从上方”不可逆地插入缓冲层以确保去耦。对于石墨烯/ Ni(111),我们改为“从下面”调整膜的相互作用。通过控制旋转石墨烯域下碳化物层的形成/溶解温度,我们可逆地将石墨烯的电子结构从半金属转换为金属。我们的结果与功能器件中可控石墨烯/金属界面的设计有关。

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