首页> 美国卫生研究院文献>Materials >NiCo2S4 Nanotrees Directly Grown on the Nickel NP-Doped Reduced Graphene Oxides for Efficient Supercapacitors
【2h】

NiCo2S4 Nanotrees Directly Grown on the Nickel NP-Doped Reduced Graphene Oxides for Efficient Supercapacitors

机译:直接在镍NP掺杂的还原石墨烯氧化物上生长的NiCo2S4纳米树用于高效超级电容器

代理获取
本网站仅为用户提供外文OA文献查询和代理获取服务,本网站没有原文。下单后我们将采用程序或人工为您竭诚获取高质量的原文,但由于OA文献来源多样且变更频繁,仍可能出现获取不到、文献不完整或与标题不符等情况,如果获取不到我们将提供退款服务。请知悉。

摘要

In this work, we report a feasible fabrication of NiCo2S4 nanotree-like structures grown from the Ni nanoparticle (NP)-doped reduced graphene oxides (Ni-rGO) by a simple hydrothermal method. It is found that the presence of Ni NPs on the surface of the rGOs initiates growth of the NiCo2S4 nanotree flocks with enhanced interfacial compatibility, providing excellent cyclic stability and rate performance. The resulting NiCo2S4/Ni-rGO nanocomposites exhibit a superior rate performance, demonstrating 91.6% capacity retention even after 10,000 cycles of charge/discharge tests.
机译:在这项工作中,我们报告了一种可行的制造NiCo2S4纳米树状结构的方法,该结构是通过简单的水热方法从掺有Ni纳米颗粒(NP)的还原型氧化石墨烯(Ni-rGO)中生长出来的。发现rGOs表面上存在Ni NPs可以促进NiCo2S4纳米树簇的生长,并具有增强的界面相容性,从而提供出色的循环稳定性和速率性能。所得的NiCo2S4 / Ni-rGO纳米复合材料表现出优异的倍率性能,即使经过10,000次充电/放电测试,仍显示出91.6%的容量保持率。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
代理获取

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号