半导体激光辅助根管治疗的实验研究

摘要

目的探讨1320 nm波长半导体激光照射对感染根管的辅助治疗作用.方法30颗拔除的人离体磨牙,取单根管,经常规根管治疗后,随机分为3组,每组10个根管:对照组用常规根管治疗;实验1组加激光治疗5min;实验2组加激光治疗2次,每次5min,间隔30min.所有牙根管近中远中纵向剖开,扫描电镜下观察根尖1/3区根管内壁形态变化,比较残留的玷污层程度.结果经激光治疗,管间牙本质熔融,牙本质小管口缩小或封闭.与对照组比较,玷污层显著熔融或消失.结论1320nm波长半导体激光照射有助于消除玷污层,具有辅助根管治疗的作用.