首页> 中国专利> 热辅助磁记录头、半导体激光元件以及半导体激光元件的制造方法

热辅助磁记录头、半导体激光元件以及半导体激光元件的制造方法

摘要

具备:基板(41),其由半导体构成;发光部(52),其具有以基板(41)为基底通过外延生长依次层叠第1导电型半导体层(43)、活性层(44)和第2导电型半导体层(45)的半导体层叠膜(42),并且由活性层(44)形成条带状的光波导(46);环状的保护壁(53),其与发光部(52)相邻地由半导体层叠膜(42)形成,并且包围以基板(41)或第1导电型半导体层(43)为底面的凹部(51);第1电极(47),其配置在凹部(51)的底面上;和第2电极(48),其配置在发光部的上表面。

著录项

  • 公开/公告号CN104854765B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2018-12-07

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 夏普株式会社;

    申请/专利号CN201480003463.1

  • 发明设计人 川上俊之;有吉章;

    申请日2014-09-02

  • 分类号

  • 代理机构中科专利商标代理有限责任公司;

  • 代理人吴秋明

  • 地址 日本国大阪府大阪市阿倍野区长池町22番22号

  • 入库时间 2022-08-23 10:21:48

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-12-07

    授权

    授权

  • 2015-09-16

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01S5/02 申请日:20140902

    实质审查的生效

  • 2015-09-16

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01S 5/02 申请日:20140902

    实质审查的生效

  • 2015-08-19

    公开

    公开

  • 2015-08-19

    公开

    公开

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