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静电放电对结势垒肖特基二极管正向Ⅰ-Ⅴ特性的影响

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本文基于人体放电模型对4H-SiC结势垒肖特基(JBS)二极管进行同一电压下的多次脉冲放电,直接对二极管管脚加静电.每次放电后测量器件的Ⅰ-Ⅴ特性,并利用透射电镜和扫描电镜分析静电放电后JBS的损伤部位,分析静电放电下JBS的失效机理.

著录项

来源
《青年科学（教师版）》|2014年第7期|323|共1页
作者
周瑶; 王明瑞;
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作者单位

西安电子科技大学陕西西安710071;

长安大学陕西西安710064;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类
关键词
4H-SiC; JBS; 静电放电; 失效分析;
入库时间 2023-07-25 12:59:30

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