利用D-D中子发生器进行补偿中子孔隙度测井的模拟研究

摘要

利用蒙特卡罗方法模拟研究了D-D脉冲中子源和Am-Be中子源产生的中子与地层的作用过程.得到热中子计数随着源距增加而呈指数下降,源距小于20 cm时D-D中子管的热中子相对计数高于Am-Be中子源;源距大于20 cm时比Am-Be中子源低.在低孔隙度(小于20%)地层D-D中子管补偿中子孔隙度测井的热中子计数比值略大于Am-Be中子源;高孔隙度(大于20%)地层D-D中子管的热中子计数比值远远大于Am-Be中子源,对地层孔隙度灵敏度增加.与Am-Be中子源相比,D-D中子管补偿中子孔隙度测井的探测深度略为降低,地层孔隙度测量的灵敏度增加,因此利用D-D中子管可以进行补偿中子孔隙度测井.