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王力鸣; 张小秋; 李晋闽; 侯洵;
中国科学院西安光学精密机械研究所;
超高真空; 半导体; 光电阴极;
机译:旨在应用于NEA半导体光电阴极的GaN基半导体的量子效率和耐久性研究
机译:旨在对NEA半导体光电阴极应用的GaN基半导体的量子效率和耐久性
机译:含Cs活化的NEA GaN光电阴极异质结表面的理论研究。
机译:NEA GaN光电阴极性能参数对量子效率影响的研究
机译:磷化铟NEA光电阴极的光发射光谱研究:活化,衰减机理以及能量和角度分布。
机译:感光光电阴极:感光光电阴极的最新进展:从分子染料到半导体量子点(Adv。Sci。4/2018)
机译:硒基硫族玻璃半导体的光电性能及其应用研究
机译:负电子亲和光电阴极作为高性能电子源。第1部分:NEa光电阴极实现超高亮度
机译:检测包括核苷酸序列和装置在内的小生物物体表面上分子组的位置和类型的电子干扰方法(57)本发明涉及检测生物物体的结构,可用于研究小型生物物体的表面结构物体(例如大分子)并检测其上放置的分子的位置和类型。一种装置,包括具有在其上的由非导电材料制成的基底的基底,光电阴极和阳极,其中在其之间存在用于研究对象的位置和电子散射体。光电阴极内至少有一个窗口,该光电阴极区域与窗口相邻,该窗口由功函数降低的材料制成。窗口通过至少一个狭缝连接到光电阴极之外的区域,其长度超过其宽度。在窗口和狭缝区域下方以较小的深度布置有冷却电极,其中在电极和缝隙区域下方布置有加速电极。
机译:半导体光电阴极和使用该半导体光电阴极设备的半导体光电阴极设备
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