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陈新; 王佑;
中国科学院表面物理国家重点开放实验室;
中国科学院半导体研究所;
金属铯化物离子; 二次离子质谱; 界面效应; 扩散;
机译:通过Ni-Ti金属间相钎焊Al2O3 / Al2O3界面的微观结构演化与粘合强度
机译:扩散键合产生的Ti / Al2O3界面的电化学行为
机译:室温下具有薄Al2O3界面层的(Au / Ti)/ Al2O3 / n-GaAs的频率和电压相关介电特性和AC电导率
机译:活性金属钎焊方法制备的Ti / Al2O3界面的腐蚀行为
机译:化学,热和酶处理,水分含量和遗传方面的反刍动物消化和利用草种子秸秆中的结构性碳水化合物组分以及牛肉精加工饮食中的非结构性碳水化合物组分。
机译:非真空空间原子层沉积系统制备钝化Si / Al2O3界面的研究
机译:Ti / al2O3,Ti3al / al2O3和Tial / al2O3复合材料的界面稳定性研究
机译:AlSiMgCu合金产品的晶间耐蚀性及其制造方法得到了改进(制造具有增强的耐晶界腐蚀性能的AlSiMgCu合金产品的方法)
机译:ZR-NI-TI具有相同厚度和光滑度的两个表面的三组分活性钎焊金属和带状主体
机译:表面涂层热加工刀具无效的碳化钨基,具有改进型Al2O3层的晶界表面强度。
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