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二代近帖聚焦像增强器纳秒响应技术

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摘要

从理论上对光电阴极面发射电子过渡过程进行分析,光电阴极面电阻是影响光电发射过渡过程的主要因素.通过对光电阴极制备技术的改进,使二代近帖聚焦像增强器的管子时间响应小于2ns.

著录项

来源
《真空电子技术》 |2005年第1期|22-23|共2页
作者
徐江涛;
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作者单位

西安应用光学研究所二室,陕西,西安,710100;

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正文语种 chi
中图分类微光技术、微光夜视仪;
关键词
近帖聚焦像增强器; 光电阴极; 纳秒响应;

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