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首页> 中文期刊> 《传感器与微系统》 >离子敏场效应晶体管宏模型的建立与仿真

离子敏场效应晶体管宏模型的建立与仿真

         
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摘要

根据电化学表面基模型理论,提出了一种简单有效的能够描述离子敏场效应晶体管(ISFET)静态特性的仿真模型,借助此模型,对器件的电学行为进行了模拟,仿真结果与实验数据基本相符.

著录项

  • 来源
    《传感器与微系统》 |2005年第1期|43-44,47|共3页
  • 作者

    杨振; 颜永红; 代建玮; 刘继周; 齐良颉;

  • 作者单位

    湖南大学,应用物理系,湖南,长沙,410082;

    苏州中科集成电路设计中心,江苏,苏州,215021;

    湖南大学,应用物理系,湖南,长沙,410082;

    苏州中科集成电路设计中心,江苏,苏州,215021;

    北京航空航天大学,电子工程系,北京,100083;

    湖南大学,应用物理系,湖南,长沙,410082;

    苏州中科集成电路设计中心,江苏,苏州,215021;

    湖南大学,应用物理系,湖南,长沙,410082;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类 场效应器件;
  • 关键词

    离子敏场效应晶体管; 表面基; 器件模型;

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