FDDLTE与TD-LTE基站邻频杂散辐射的研究

摘要

随着LTE技术的初步商用,FDDLTE和TD-LTE基站邻频共存的情况很可能出现,这两种LTE基站间将会产生邻频干扰。基站发射机输出的信号通常为大功率信号,基站发射信号有可能会在有用频带之外产生较大的杂散辐射。杂散辐射对异系统的影响在这两种基站工作频段相邻时更为严重,本文正是基于这种场景对两种LTE基站之间邻频共存的杂散辐射和干扰问题进行了研究与测试分析。