基于REC技术的氮化铟DFB激光器仿真分析

摘要

提出一种基于重构等效啁啾(REC)技术的1550 nm波段氮化铟分布反馈(DFB)半导体激光器.在传输矩阵法(TMM)的理论基础上,对该结构激光器的各项光学性能进行仿真分析.结果表明,基于该技术设计的激光器具有良好的光电特性,阈值电流很小,约为6.1 mA,斜效率为0.31 mW/mA;在20 mA的注入电流下得到了1549.09 nm的单模激射,边模抑制比均超过了39 dB.同时,分析了激光器腔长和有源层厚度对其光电特性的影响,腔长越长,功率越低且烧孔效应越强;随着有源层厚度的增大,阈值电流也随之增高.这一结果可以为氮化铟DFB激光器的设计加工提供一定的参考.