SiH4激光等离子体OES研究

摘要

我们用光学发射光谱(OES)测量法研究了激光等离子体化学气相淀积(LPCVD)条件下SiH_4分解产物的光谱特性。一、引言目前国内外已利用LPCVD方法成功地淀积出许多金属、半导体和化合物材料。作者用OES方法测量了LPCVD条件下SiH_4激光等离子体中分解产物的发射光谱分布,确定了主要发光物质,并测量了不同实验条件下的对应关系。在强激光辐照SiH_4样品产生等离子体时。