掺钴氧化锌稀磁半导体的SEM及X射线能谱微分析研究

摘要

采用水热法,以CoCl2·6H2O为前驱物,KOH作为矿化剂合成了掺钴氧化锌稀磁半导体晶体.利用扫描电子显微镜(SEM)及X射线能谱仪(XREDS)对合成晶体的微观形貌、表面及内部掺杂元素Co的相对含量和分布的均匀性进行了研究.研究结果表明:水热法合成的掺Co氧化锌晶体具有多种微观形貌,较大的晶体具有极性生长特性.随晶体形貌不同,显露面也发生了相应改变.不同微观形貌的晶体其Co含量有所差异,较大的晶体掺杂Co元素相对含量大于较小的晶体,+c(1011)显露面Co元素的含量比+c(1010)面高,锥柱状晶体其区别尤为明显.大的晶体内部存在着少量的氧化钴团簇,晶体表面与晶体内部Co元素分布相对均匀.由于Co2+具有磁性,因此,氧化钴团簇的存在将对氧化锌稀磁半导体晶体的磁性产生一定的影响.