1700V IGBT模块直接串联驱动设计

摘要

绝缘栅双极型晶体管（insulated-gate bipolar transistor,IGBT）在高压大功率场合的应用越来越广泛,但是高压IGBT的器件价格昂贵,低压IGBT由于耐压的限制,在高压大功率电能变换场合还不能满足需求。直接串联使用是一种较好的解决方案。结合IGBT的直接串联驱动需求,从安全隔离、可靠门级钳位、有源电压控制和过流保护等方面进行研究,设计出相应的门极驱动保护单元（gate drive and protection unit,GDU）并将其运用在3 kV/200 A三相逆变系统,结果验证了驱动的可靠性。