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刘武扬1; 高圣伟1;
[1]天津工业大学电工电能新技术天津市重点实验室,天津;
氮化镓; 动态特性; 独立拉灌; 尖峰电压;
机译:氮化镓功率器件驱动特性的研究
机译:迄今为止,GaN(氮化镓)GaN功率器件的吸引力在于:GaN功率器件的潜力,器件的功能以及实现收益的专有技术
机译:古河电工/富士电机,氮化镓基功率器件技术研究会
机译:GaN功率器件的最新趋势:氮化镓,氮化镓
机译:氮化铝镓/氮化镓器件结构的研究和表征,以及材料缺陷和工艺对器件性能的影响。
机译:通过镁离子注入实现垂直功率器件的p型氮化镓
机译:使用寄生萃取建模氮化镓功率器件的RF方法
机译:用于微波和射频控制应用的高功率氮化镓器件
机译:生长用于基于氮化镓的半导体电子器件的氮化镓半导体膜的方法,制造基于氮化镓的半导体电子器件的方法,外延衬底以及基于氮化镓的半导体电子器件
机译:氮化镓/氮化铝镓半导体器件及制造氮化镓/氮化铝镓半导体器件的方法
机译:氮化镓晶体,氮化镓衬底,氮化镓晶体和半导体器件的表面处理方法以及氮化镓晶体衬底和半导体器件的制造方法
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