高性能ZnO薄膜紫外光电探测器的研究

摘要

本研究通过磁控溅射法在石英衬底上制备出ZnO薄膜紫外光电探测器,通过X射线衍射(XRD)、吸收光谱、I-V特性曲线以及响应度曲线,对不同退火温度(500、600、700℃)的光电探测器紫外探测性能进行了深入研究。结果表明,利用退火手段,提高了紫外光电探测器的性能,随着退火温度的升高,探测器的暗电流和响应强度逐渐增强。本研究结果为制备高性能ZnO薄膜紫外光电探测器提供了一种可行途径。