BaSO_(4):Ce^(3+)/Tb^(3+)发光材料的制备与表征研究

摘要

采用溶胶凝胶-沉淀法在800℃退火处理后合成了BaSO_(4)-SiO_(2):Ce^(3+)/Tb^(3+)及BaSO_(4):Ce^(3+)/Tb^(3+)发光材料。通过X射线衍射(XRD)、傅里叶红外光谱(FTIR)以及激发光谱、发射光谱对材料的物相及发光性能进行了表征和分析。实验考查了Ce^(3+)离子浓度和正硅酸乙酯(TEOS)掺入对材料荧光性能的影响。在Ce^(3+)/Tb^(3+)双掺杂体系中,发现了Tb^(3+)的^(5)d_(4)→^(7)f_(6)及^(5)d_(4)→^(7)f_(2)跃迁,特征发射峰位于475 nm和670 nm附近,发光强度随Ce^(3+)离子浓度增加先增强后减弱,存在Ce^(3+)→Tb^(3+)能量传递。TEOS的掺入引起发射峰的红移及强度的增大。