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±5V高频四象限CMOS模拟乘法器

         

摘要

提出了一种新型四象限CMOS模拟乘法器电路,其核心结构为线性化压控源耦对。基于MOSIS2μmp-阱CMOS工艺参数的PSPICE模拟结果表明:当电源电压为±5V,输入范围为±4V时,非线性误差小于0.9%,乘法运算误差小于1.0%;在±3V的人非线性误差小于0.4%,乘法运算误差小于0.7%;-3dB带宽一端为130MHZ,另一端为720MHZ;整个电路静态功耗为4.90mW。

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